SSD 2,5" 250GB Samsung 850 EVO SATAIII Basic - ret

Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie?

Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše.

Optimalizujte práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite pro bezkonkurenční rychlosti čtení / zápisu

Dosáhněte špičkového výkonu čtení a zápisu a maximalizujte svou produktivitu při každodenní práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite od společnosti Samsung. Nejenže získáte o více než 10% lepší uživatelský zážitek než s diskem 840 EVO*, ale také až 1,9x vyšší rychlost náhodného zápisu ve srovnání s modely s kapacitou 120 či 250 GB**. Disk 850 EVO poskytuje špičkový výkon ve své třídě co se týče rychlosti sekvenčního čtení (540 MB/s) i zápisu (520 MB/s). Získáte také optimalizovaný výkon náhodného přístupu při všech délkách fronty ve scénáři použití na klientském počítači.
*PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)
**Náhodný zápis (QD 32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)

Zařaďte vyšší rychlost s vylepšeným režimem RAPID

Software Magician od společnosti Samsung poskytuje režim Rapid, který využívá volnou paměť počítače (DRAM) jako mezipaměť a tím umožňuje až dvakrát rychlejší zpracování dat* na systémové úrovni. Nejnovější software Magician zvyšuje maximální možné využití paměti v režimu Rapid z 1 GB u předchozí verze disku 840 EVO až na 4 GB u verze 850 EVO, pokud je k dispozici 16 GB paměti DRAM. Můžete také získat až dvojnásobné zvýšení výkonu* při všech hloubkách fronty náhodného přístupu.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (režim Rapid)

Odolnost a spolehlivost podpořená technologií 3D V-NAND

Disk 850 EVO poskytuje zaručenou životnost a spolehlivost prostřednictvím dvojnásobné hodnoty TBW* ve srovnání s předchozí generací disku 840 EVO** a vztahuje se na něj špičková pětiletá záruka. Díky minimální degradaci výkonu disk 850 EVO umožňuje dlouhodobé zvýšení výkonu oproti disku 840 EVO až o 30%, čímž se stává jedním z nejspolehlivějších úložných zařízení***.
*TBW: Total Bytes Written (celkový počet zapsaných bajtů)
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 GB / 1 TB)
***Dlouhodobý výkon (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), výkon měřen po 12 hodinovém testu náhodného zápisu

Technické specifikace

• Kapacita: 250 GB (1 GB = 1 miliarda bajtů podle sdružení IDEMA) * Skutečná využitelná kapacita může být nižší v závislosti na formátování, rozdělení na oddíly, operačním systému, aplikacích a dalších faktorech.
• Rozhraní: Rozhraní SATA 6 Gb/s, kompatibilní s rozhraními SATA 3 Gb/s a SATA 1,5 Gb/s
• Rozměry (Š X V X H): Rozměry 100 x 69,85 x 6,8 mm
• Váha: Hmotnost maximálně 45 g
• Controller: Řadič Samsung MGX
  
• Cache Memory: Samsung 512 MB DDR3 SDRAM s nízkým příkonem
• Trim Support: Podpora TRIM
• S.M.A.R.T Support: Podpora S.M.A.R.T
• GC (Garbage Collection):